90nm CMOS 工艺下器件版图排布对电荷共享的影响

摘要：

基于3 维TCAD 器件模拟，研究了90nm CMOS 双阱工艺下相邻器件不同版图形式对电荷共享的影响. 研究结果表明：对NMOS 而言，从器件漏极离轰击位置越近电荷共享越严重；对PMOS而言，从器件源极离轰击位置越近电荷共享越严重. 这一结论对指导电荷共享版图设计加固具有重要意义。

关键词： 电荷共享 版图形式 TCAD 模拟 双极效应

作者: 刘凡宇 刘衡竹 刘必慰 梁斌

作者单位: 国防科技大学计算机学院 长沙 410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 湖南省第三届研究生创新论坛——信息与控制工程的新理论和新技术分论坛

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 445

在线出版日期: 2010-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）