ZnO/ZnCdO和ZnO/ZnMgO超晶格的子带研究

摘要：

　　ZnO是具有3.37eV的宽禁带半导体材料，近年来引起了众多研究者的兴趣。Zn1-XCdxO和Zn1-xMgxO很好地实现了对ZnO能带减小和增大的功能。采用较为简单一维K·P势模型结合有效质量理论得到了ZnO/Zn1-xCdxO及ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱的能量色散关系及子带的meV跃迁与超晶格带阶、阱垒宽度之间的关系。将此多量子阱应用于THz量子级联激光器有源区，对粒子数反转和跃迁矩阵做了相关讨论。

关键词： 氧化锌 半导体材料 量子级联激光器 超晶格结构 能级跃迁

作者: 雷红文 王雪敏 赵妍 阎大伟 符亚军 沈昌乐 吴卫东

作者单位: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 四川 绵阳 621900 中国工程物理研究院太赫兹研究中心 四川 绵阳 621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 35-39

在线出版日期: 2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）