基于CMOS技术的太赫兹电路研究进展

摘要：

　　本文通过国内外CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺技术的发展现状对比，研究了利用CMOS电路进行太赫兹源与太赫兹探测的硬件设备制作方案.基于CMOS技术实现的太赫兹硬件设备可以实现室温、超小型的应用，频率可覆盖140GHz-1THz.辐射功率达μW量级。这为我国开展可实际应用的太赫兹硬件设备提供了重要的研究方向。

关键词： 互补金属氧化物半导体 电路结构 太赫兹波 肖特基二极管

作者: 宋瑞良 林建东

作者单位: 中国电子科技集团公司第五十四研究所 河北 石家庄 050081

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 141-146

在线出版日期: 2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）