THz波段InP基HEMT的研究现状及应用

摘要：

　　InP材料具有较大的击穿电压和电子迁移率，而且与其晶格匹配的In0.52A10.48As/In0.53GaO.47As异质结的导带具有较大的不连续性，可更好对二维电子气进行限制。其次，InP基HEMT器件沟道层采用具有高电子迁移率的InGaAs材料，因而可获得更高的电子迁移率，使得器件工作频率得以大幅提升。本文首先介绍了HEMT的工作原理，并基于此原理讨论了InP基HEMT器件结构的设计与优化方法，最后对现有工作于THz波段的InP基HEMT研究与应用进行了相关介绍。

关键词： 晶体管 电子迁移率 太赫兹波 异质结 结构设计

作者: 阎大伟 吴卫东 王雪敏 赵妍

作者单位: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心等离子体物理重点实验室 四川 绵阳 621900 中国工程物理研究院太赫兹研究中心 四川 绵阳 621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国太赫兹科学技术与应用学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 147-150

在线出版日期: 2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）