场发射冷阴极亚微米栅极孔阵列制备技术
实现了一种采用聚苯乙烯纳米球自组装技术和微机械制造(MEMS)技术加工的场发射阴极用亚微米栅极微孔阵列。设计了一套完整的工艺实验方案，首先借助微球自组装技术获得了亚微米级金属网孔掩膜，然后通过反应离子刻蚀技术获得了亚微米栅极孔阵列，从而实现了集成度高、分布均匀的周期性亚微米孔洞阵列的制备，微孔集成度达到10～8个/cm2，是普通光刻技术的10倍以上。实验研究了氧气刻蚀PS微球的规律。采用制备出的金属网孔掩膜，利用四氟化碳(CF4)干法刻蚀二氧化硅，获得了深度为500nm的微孔。实验结果证明该制备技术是一种获得大面积、均匀分布、集成度高的场发射冷阴极栅孔阵列的有效方法。
场致发射阴极 自组装技术 微孔阵列 电流密度
赵兴海 施志贵 郑英彬 向伟 金大志 钱沐杨 朱锦锋 曾葆清
中国工程物理研究院电子工程研究所 四川 绵阳 621900 电子科技大学物理电子学院 四川 成都 613800 中国工程物理研究院太赫兹研究中心 四川 绵阳 621900 中国工程物理研究院电子工程研究所 四川 绵阳 621900 中国工程物理研究院太赫兹研究中心 四川 绵阳 621900 电子科技大学物理电子学院 四川 成都 613800 中国工程物理研究院太赫兹研究中心 四川 绵阳 621900
国内会议
北京
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256-260
2012-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）