基于GG-NMOS和二极管的片上ESD防护电路

摘要：

　　ESD问题随着工艺尺寸不断减小而变得日益突出，本篇文章主要实现了基于片上系统的二极管和栅接地NMOS管两种ESD防护电路，通过对两种ESD防护电路的分析与比较，并运用TCAD器件仿真软件模拟两种电路，得到两种防护电路的最小钳位电压和温度特性，最后通过比较得出栅接地NMOS防护电路的防护效果更佳。

关键词： 防护电路 电荷中和现象 工艺设计 性能评价

作者: 刘彦斌 黄正峰 梁华国 史冬霞 严鲁明

作者单位: 合肥工业大学电子科学与应用物理学院 合肥 230009 合肥工业大学计算机与信息学院 合肥 230009

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届仪表、自动化与先进集成技术大会暨第六届测控技术与仪器仪表学术大会

会议地点: 丹东·南京

会议语种:中文

页码: 156-159

在线出版日期: 2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）