坩埚表面改性对冶金法太阳能多晶硅少子寿命的影响

摘要：

　　本研究以工业硅为原料，采用真空定向凝固工艺，研究了石墨坩埚氮化硅涂层处理对冶金法制备太阳能级多晶硅性能的影响。结果表明：采用氮化硅涂层处理后，多晶硅铸锭中部少子寿命值由原来的0.85μs提高到1.91μs；顶部和底部的少子寿命值也明显提高，且与中部位置切片的少子寿命值相差不大；位错密度也由原来的5～40×104个／cm2降低到5～40×104个cm/cm2。

关键词： 太阳能多晶硅 氮化硅涂层 少子寿命 石墨坩埚 位错密度 改性处理

作者: 张聪 魏奎先 马文会 陈秀华 张俊峰

作者单位: 昆明理工大学冶金与能源工程学院真空冶金国家工程实验室,云南 昆明 650093 云南省高校硅冶金与硅材料工程研究中心,云南 昆明 650093 云南大学物理学与技术学院,云南 昆明 650091

会议类型: 国内会议

会议名称: 2012年全国冶金物理化学学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 671-674

在线出版日期: 2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）