直接电解还原SiO2制备硅过程中B,P行为研究

摘要：

　　在CaCl2-CaO电解体系下,直接电解还原SiO2制备得到单质硅。利用能斯特方程计算得到,若要使电解还原产物硅中的杂质B,P浓度小于1ppmw,则电解质中B、P的最高极限浓度分别为1.8和3.1 ppmw。采用B,P浓度均小于1ppmw的石英砂为原料进行实验,制备得到的硅中B,P浓度分别为4.8,3.5 ppmw,电解质的纯度是导致硅中B,P浓度升高的主要原因。通过提高电解质的纯度,有望能进一步降低还原产物硅中的B,P浓度,最终获得低硼和低磷的高纯度硅产品。

关键词： 单质硅 制备工艺 电解体系 还原产物 电解质纯度

作者: 谢江生 马文会 陈家辉 秦博 魏奎先

作者单位: 昆明理工大学冶金与能源工程学院真空冶金国家工程实验室,云南 昆明 650093 云南省高校硅冶金与硅材料工程研究中心,云南 昆明 650093 昆明理工大学冶金与能源工程学院真空冶金国家工程实验室,云南 昆明 650093

会议类型: 国内会议

会议名称: 2012年全国冶金物理化学学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 288-292

在线出版日期: 2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）