溅射沉积CuO薄膜的光学和电学特性
以金属铜为靶材，氧气为反应气体，保持200℃的基底温度不变，通过调节氧氩比(OFR)和反应压强，利用直流反应磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了一系列氧化铜薄膜。利用能谱对薄膜材料的元素含量进行测量和分析，结果显示：OFR=1：1和2：1时，铜元素和氧元素的含量比约在0.90～0.97的范围内变动。用四探针测试仪对薄膜的电阻率进行测量，用分光光度计测量薄膜的透过率，并用外推法推导出氧化铜薄膜的禁带宽度。利用霍尔效应测试仪对薄膜的电学参数进行测量和分析。
氧化铜薄膜 禁带宽度 磁控溅射 性能表征
王俪蓉 刘卫国
西安工业大学微光电系统研究所 西安 710032
国内会议
南昌
中文
722-726
2011-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）