反应磁控溅射制备氮化钽扩散阻挡层的研究
采用反应磁控溅射在硅衬底上制备了TaN薄膜，研究了氮分压、溅射功率及衬底温度对薄膜晶体结构、表面形貌和电学性能的影响。结果表明，晶体结构随工艺参数的改变发生变化，GIXRD图谱衍射峰强度随溅射功率和衬底温度的增加而增强，氮气分压的增加使择优取向向(111)晶面偏移；TaN薄膜的表面形貌与溅射功率和氮气分压密切相关，与衬底温度的关系不大，其粗糙度随溅射功率的增加而增大，随氮气分压的增加而减小；TaN薄膜的方块电阻随溅射功率的增加逐渐减小，随氮气分压的增加逐渐增大，温度对方块电阻的影响不大；对Cu／TaN／Si互联体系热处理后发现TaN薄膜具有优异的阻挡性能，在600℃时依然可有效阻止Cu向Si的扩散。
集成电路 氮化钽薄膜 反应磁控溅射 扩散阻挡层 工艺参数 表面形貌
贾振宇 朱嘉琦 曹世成
哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所 哈尔滨 150001
国内会议
南昌
中文
751-757
2011-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）