电子束退火制备二硼化镁超导薄膜的可行性研究
(0) 提出了电子束退火制备MgB2超导薄膜新工艺。在对电子束退火制备MgB2超导薄膜可行性进行理论研究的基础上，使用EBW-6型电子束热处理设备，在真空度5.0×10-3Pa、加速电压40kV、束流2mA、束斑14.2mm、退火时间1.5s的条件下对”B(10m)／Mg(15nm)”4／Sic夹层结构前驱膜进行了退火实验，得到了零电阻温度为30.3K、转变宽度△Tc为0.4K、临界电流密度(5K、0T)为5.0×106A／cm2、表面平整的MgB2超导薄膜。证明了电子束退火制备MgB2薄膜是切实可行的。该工艺可以推广到大面积MgB2超导薄膜和MgB2线带材的制备。
二硼化镁超导薄膜 电子束 退火工艺 电流密度
孔祥东 戴倩 韩立 冯庆荣 初明璋 薛虹 李建国
中国科学院电工研究所 北京 100190 生物电磁学北京市重点实验室 北京 100190 北京大学物理学院 北京 100871
国内会议
南昌
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758-762
2011-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）