IBS在多元HgCdTe器件制备工艺中的应用
该文介绍了离子束系统的结构及工作原理，分析了离子源的构造，离子束的形成过程以及器件工艺对离子束性能的要求。通过对英国Oxford公司生产的离子束系统整机介绍，阐述了该系统如何配置以实现工艺过程中对离子束性能 各项指标的需求。同时详尽阐述了离子束系统在多元碲镉汞红外探测器制造过程中的离子刻蚀工艺和延伸电级工艺中的具体应用。讨论了离子束性能指标，器件材料，沉积材料与刻蚀沉积速度之间的关系。重点分析了在工艺过程中由于离子束发生偏移而导致工艺无法正常进行的原因及解决方法。
多元器件 制备工艺
武庆元
华北光电技术研究所
国内会议
北京
中文
166-170
2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）