单相半桥逆变器电容电压不均衡研究

摘要：

　　单相半桥逆变器具有主电路结构简单，使用器件少，容易实现的特点，适合用作IGBT串联的试验平台的主电路拓扑。本文对单相半桥型逆变器的电容不均压问题进行了理论分析，提出了几种抑制办法，针对在实验室搭建的IGBT串联的士1.5kV、1.7MVA单相半桥型逆变器，对几种方法进行了仿真分析及对比，仿真结果证明了几种方法的有效性。

关键词： 单相半桥逆变器 电容不均衡 电路拓扑 仿真分析

作者: 贾娜 吴锐 陈中圆 任悟成 韩健 蔚泉清 王成昊

作者单位: 中国电力科学研究院，北京市海淀区 100192 国网物资有限公司，北京市西城区 100120

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届电能质量及柔性输电技术研讨会

会议地点: 呼和浩特

会议语种:中文

页码: 303-306

在线出版日期: 2012-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）