大功率半导体器件芯片烧结工艺的改进

摘要：

　　在现有的硅-铝-钼烧结工艺的基础上，将钼圆片由原来的5mm厚减薄到4.5mm，并在大型卧式真空烧结炉，温场更为均匀的情况下进行烧结。结果表明，该工艺仍然能得到浅而平坦的烧结合金结，并能保持器件的反向阻断特性和通态特性，保持一定的成品率，且降低了产品成本，响应了节能、低碳的生产要求。

关键词： 半导体器件 生产工艺 优化设计 真空烧结技术

作者: 尤金霜 李永建 李红梅 任世强

作者单位: 北京金自天正智能控制股份有限公司半导体事业部，北京 100071

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国冶金自动化信息网2012年会

会议地点: 南昌

会议语种:中文

页码: 547-549

在线出版日期: 2012-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）