不同工艺参数真空蒸镀制备Be薄膜研究

摘要：

　　本研究采用真空热蒸发制备Be薄膜对利用磁控溅射制备Be/Cu靶丸进行了前期研究，采用不同的工艺参数制备Be薄膜，研究了不同基底材料、加热温度、加热时间、Be用量、靶基距等对Be薄膜生长率、粗糙度、表面形貌、物相等的影响规律，最终得到了薄膜生长最优的工艺参数。

关键词： 铍薄膜 真空热蒸法 工艺参数 制备工艺

作者: 李恺 罗炳池 罗江山 谭秀兰 李佳 韩尚君

作者单位: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 四川 绵阳 621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国核靶技术学术交流会

会议地点: 云南腾冲

会议语种:中文

页码: 34-37

在线出版日期: 2011-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）