衬底温度对非晶硅薄膜光学带隙的影响

摘要：

　　非晶硅薄膜由于其光吸收系数高、原材料来源广泛、制备成本低以及易于大规模生产等优点，被认为是当前最重要的光伏材料之一。本研究采用射频磁控溅射(RF-MS)法在不同温度下制备了非晶硅(a-Si)薄膜，以研究衬底温度对硅薄膜光学带隙的影响。研究表明a-Si薄膜光学带隙与内部缺陷、悬挂键和杂质等密切相关。衬底温度变化会显著影响a-Si薄膜内部缺陷和悬挂键的形成，进而改变其结构及性能。

关键词： 非晶硅薄膜 衬底温度 光学带隙 结构性能

作者: 朱亚滨 缑洁 盛彦斌 立龙 崔明焕 李远飞 王志光 卢子伟 孙建荣 姚存峰 魏孔芳 申铁龙 马艺准 周明

作者单位: 中国科学院近代物理研究所 甘肃兰州 730000 中国科学院研究生院 北京 100049 中国科学院近代物理研究所 甘肃兰州 730000

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国核靶技术学术交流会

会议地点: 云南腾冲

会议语种:中文

页码: 53-53

在线出版日期: 2011-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）