会议专题

三倍频射频功率源对GDP及Br-GDP薄膜热稳定的影响研究

  本文采用RF-PECVD方法,以溴乙烷(C2H5Br)、反式-2-丁烯(T2B)为单体,氢气(H2)为载气,13.56MHz, 40.68MHz高频电源为功率源,利用美国TA公司SDT Q600同步热分析仪对系列Br-GDP薄膜进行热稳定性分析。考察结果显示:40.68MHz进口电源对Br-GDP薄膜热稳定性提高有所帮助,结合实验参数条件的调节有望将Br-GDP薄膜热稳定性由目前的100℃左右提高至200℃左右甚至更高。

复合薄膜 热稳定性能 三倍频射频功率 技术参数

冯建鸿

中国工程物理研究院激光聚变研究中心 四川绵阳 621900

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2011-07-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)