ZrB2+SiC陶瓷高温氧化过程中SiC耗尽层的形成机制研究
ZrB2+SiC陶瓷在高温氧化过程中会形成一层多孔的SiC耗尽层。本文首先计算了在高温氧化过程中的主要氧化产物。通过对氧化过程中相变机制的分析，利用质量守恒、固体区域体积守恒并结合反应速率方程，研究了SiC耗尽层的形成与演化过程，给出了孔隙率随温度的变化规律。结果表明：氧化过程中生成相的体积膨胀及SiC的初始体积含量是影响SiC耗尽层孔隙率的主要因素。对计算结果的分析解释了试验中发现的在低SiC含量下不出现耗尽层，以及氧化层破坏的现象。
超高温陶瓷 碳化硅耗尽层 相变机制 力学性能
王超 梁军 栾旭 王宝来
哈尔滨工业大学，黑龙江哈尔滨 150001
国内会议
沈阳
中文
886-889
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）