锰离子掺杂对SnO2-Sb2O3系压敏材料电性能的影响
采用传统电子陶瓷工艺制备了TiO2-Co3O4-Cr2O3-Ni2O3-MnO掺杂的SnO2-Sb2O3系压敏陶瓷材料。研究了MnO掺杂对SnO2-Sb2O3系压敏陶瓷材料的致密化、小电流区非线性特性及脉冲电流耐受特性的影响。实验发现，少量的MnO掺杂可以改善材料的电压电流非线性特性和耐脉冲电流能力。但是当MnO的添加量多于0.06 mol％时，样品的非线性系数会减小，漏电流会升高。采用Mn(NO3)2水溶液作为MnO源能使Mn元素更均匀分布，比采用MnCO3粉体获得的样品性能更好。当Mn(NO3)2添加量为0.06 mol％～0.1 mol％时，获得了电性能接近实际应用要求的产品，其非线性系数介于30～50，压敏电压V1mA介于330～350 V／mm，并且能耐受峰值电流达1.5 kA／cm2的8／20μs波脉冲电流。
压敏陶瓷材料 掺杂改性 锰离子 电性能
卢振亚 黄欢 陈志武
华南理工大学，广东广州 510640
国内会议
沈阳
中文
928-931
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）