硅表面自组织量子点形成机制的第一原理研究

摘要：

　　用第一原理法对Ge／Si(113)表面的重构、表面能和表面应力及其随Ge沉积层数的变化情况进行了计算，分析了Ge／Si(001)自组织量子点DOME形成机制和稳定性。发现构成DOME的Ge／Si(113)表面在压应变条件下是能量非常低的稳定表面。Ge原子在Si(001)表面上自组织生长量子点时，首先形成HUT岛；当生长到相当于约4个(001)层厚时，Ge／Si(113)表面表现为(2×2)-TPI&R重构，并开始形成稳定的DOME岛。

关键词： 半导体物理学 硅表面 自组织量子点 生长机理 稳定性分析

作者: 邓胜华 金慧 李红

作者单位: 北京航空航天大学，北京 100191

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国高技术陶瓷学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 970-974

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）