会议专题

CaF2-AlF3-SiO2系低温共烧氧氟玻璃陶瓷性能

  制备了CaF2-AlF3-SiO2系低温共烧氧氟玻璃陶瓷材料,并且用X射线衍射仪、扫描电镜、阻抗分析仪等研究了该体系材料的烧结特性、显微结构、介电性能等特性。结果表明:该氧氟玻璃陶瓷材料可以在825℃烧结致密化,烧成后的样品具有低的介电常数(5.9)、低的介电损耗(<0.002)、较低的热膨胀系数(6.0×10-6℃-1)、足够的抗弯曲强度(150 MPa)以及较高的热导率(2 W/m·K),是一种很有应用前景的低温共烧陶瓷材料。

低温共烧陶瓷材料 氧氟玻璃 烧结特性 显微结构 介电性能

王睿 周济 李勃 李龙土

清华大学新型陶瓷材料与精细工艺国家重点实验室,北京 100084

国内会议

第十五届全国高技术陶瓷学术年会

沈阳

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1117-1119

2008-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)