富碳β-SiC的燃烧法合成及微波介电性能
以硅粉和炭黑为原料，利用燃烧合成法，在0.1MPa的N2气氛下合成了β-SiC粉体。对其进行拉曼光谱和SEM表征，结果表明：合成的SiC为含有C反位缺陷CSi和石墨态sp2C的富C β-SiC固溶体。添加剂聚四氟乙烯(PTFE)含量为10％时合成的SiC粉体为等轴状团聚颗粒，粒径约为0.2μm，随着PTFE添加量的增加，SiC粉体颗粒的平均粒径增大。在8.2~l2.4GHz频率范围对所合成SiC的介电常数进行测试，发现15％PTFE时合成的SiC粉体具有较好的介电常数实部ε”、虚部ε”和介电损耗tanδ，对其微波损耗机理进行了讨论。
碳化硅 燃烧合成技术 微波损耗机理 介电性能
李智敏 周万城 苏晓磊 黄云霞 李桂芳
西安电子科技大学技术物理学院， 陕西西安 710071 西北工业大学凝固技术国家重点实验室，陕西西安 710072
国内会议
沈阳
中文
9-12
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）