碳化硅纳米线合成及显微结构分析
利用悬浮床，以Si粉为原料，在0.2L/min的高纯氮气中，维持反应温度1-600℃，悬浮反应30min，在预先放置的收集器上得到了SiC纳米线，XRD结果表明所得SiC纳米线为部分结晶状态，结晶态晶型为六方6H型。SEM形貌观察结果表明，所得SiC为纳米线。进一步SEM观察发现，大量纳米线的端部有球状液滴存在，VLS机制为该纳米线的主要形成机制， 通过EDX能谱对比分析，纳米线端部球状液滴中相对纳米线本身含有较多的氧元素，因此，氧元素对于通过VLS机制形成SiC纳米线起到了促进作用。TEM观察显示，纳米线中存在大量的堆垛层错缺陷。
碳化硅纳米线 合成工艺 显微结构 产品缺陷
任克刚 陈克新 周和平 宁晓山 金海波 钟继东
清华大学新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京 100084 北京理工大学，北京 100081
国内会议
沈阳
中文
52-54
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）