Mo电极上磁控反应溅射AlN薄膜
采用射频反应磁控溅射法在Mo电极上沉积了AlN薄膜。研究了溅射气压、靶基距、溅射功率、衬底温度及N2含量等不同工艺条件对AlN薄膜择优取向生长的影响。用XRD分析了薄膜的择优取向，用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌。实验结果表明，靶基距和溅射气压的减小，衬底温度及溅射功率的升高有利于AlN(002)晶面的择优取向生长。氮氩比对AlN薄膜择优取向生长影响较小，N2≥50％(体积分数)时均可制得高c轴择优取向的AlN薄膜。经优化工艺参数制备的AlN柱状晶薄膜适用于体声波谐振滤波器的制备。
体声滤波器 氮化铝薄膜 制备工艺 钼电极 工艺参数优化
熊娟 顾豪爽 胡宽 吴小鹏
湖北大学，武汉湖北 430062
国内会议
沈阳
中文
230-233
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）