V掺杂对Bi3.25La0.75Ti3O12层状结构铁电陶瓷电性能的影响
用高温固相烧结法制备了V5+掺杂的Bi3.25La0.75Ti3O12(BLT)层状结构铁电陶瓷。利用 XRD对Bi3.25La0.75Ti3-xVxO12+x/2(BLTV-x)材料结构进行了晶相分析，结果表明所制备的陶瓷均具有单一的正交相结构。样品的介电常数温度谱显示：V5+掺杂提高了材料的介电常数，x=0.03时介电常数最大，但样品的居里温度并没有发生大的变化。样品的介电损耗谱表明：由于V5+掺入，由氧空位引起的样品介电损耗被极大的压制，在x=0.06时损耗最小。通过对材料的直流电导与温度关系的Arrhenius拟合，分析了样品的导电机理，结果显示V5+的掺杂大大降低了材料中氧空位的浓度，使得陶瓷样品的电性能得到了很好的改善.
铁电陶瓷 电学性能 掺杂效应 固相反应
王晓军 黄平 崔彩娥
太原理工大学，山西太原 030024
国内会议
沈阳
中文
301-304
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）