晶相组成对Si3N4陶瓷介电性能的影响
以MgO-Al2O3-SiO2(MAS)体系作为烧结助剂，采用无压烧结，通过控制烧结工艺，制备出具有不同晶相组成的Si3N4陶瓷。研究了晶相组成对氮化硅陶瓷微波介电性能的影响。借助XRD、SEM对Si3N4陶瓷微观组织进行了研究。结果表明：在烧结过程中，有中间相Si2N2O产生；经1850℃、0.5h烧结，α-Si3N4全部转变为具有较大长径比，显微结构均匀的长柱状β-Si3N4晶粒：Al3+和O2-能够进入β-Si3N4晶体内形成β-Si6-xAlxOxN8-x固溶体，使晶体内部产生较大的空隙或晶格畸变，在外电场作用下，易于产生离子位移极化，导致介电常数升高；同时，随着烧结温度的提高，存在于晶界的玻璃相含量增加，试样的介电常数随之升高。
氮化硅陶瓷 制备工艺 介电性能 显微结构
李军奇 周万城 罗发 朱振峰 马建申
陕西科技大学，陕西西安 710021 西北工业大学，陕西西安 710072
国内会议
沈阳
中文
384-386
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）