BaMgSi2O6:RE3+(RE=Tb,Ce)的真空紫外光谱特性
研究了MMgSi2O6:Tb3+(M=Ca,Sr,Ba)样品的结构、发光特性。MMgSi2O6:Tb3+(M=Ca,Sr,Ba)具有硅酸钙镁石结构,基质掺入铽离子后结构没有明显变化。结果表明:MMgSi2O6:Tb3+(M=Ca,Sr,Ba)在168、220和294nm附近有强烈的吸收峰。在168nm真空紫外激发下,546nm是主发射峰。当材料BaMgSi2O6:Tb3+中掺杂Ce3+时,BaMgSi2O6:Tb3+样品在168nm真空紫外激发下的发射强度明显下降。
荧光粉 晶体结构 发光性能 真空紫外光谱
唐伟 何大伟 周丹 王永生
北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室,北京 100044
国内会议
沈阳
中文
399-402
2008-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)