放电等离子烧结法制备ITO靶材
采用单相的ITO复合粉末经放电等离子烧结法(SPS)快速制备了ITO靶材。研究了SPS的主要工艺参数对ITO靶材致密化的影响。结果表明：靶材的相对密度随着烧结温度的升高而增大，在1000℃时达到最大值；在1000℃下烧结，延长保温时间使相对密度降低；在较低的温度下烧结时，延长保温时间有利于提高靶材的致密度；相对密度随着烧结压力的增加而增大；升温速率过快不利于靶材的致密化。对烧结试样的相组成和化学成分研究表明：不同温度下制备的ITO靶材均有少量的SnO2相析出，并有不同程度的失氧，铟锡的质量分数略大于ITO原粉中铟锡的质量分数。
半导体陶瓷薄膜 铟锡氧化物 制备工艺 放电等离子烧结法
郭伟 王为民 马秀华 贾铁昆
武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，湖北武汉 430070
国内会议
沈阳
中文
407-410
2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）