碳化硼薄膜的电子束蒸发制备及表面分析

摘要：

　　采用电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜，利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的结构，测量了薄膜的X射线光电子能谱(XPS)，并利用原子力显微镜(AFM)对薄膜进行表面分析.XRD结果表明：薄膜的结晶性随着衬底温度的升高逐渐转好，在较低的衬底温度下制备出多晶碳化硼薄膜。XPS分析得到了碳化硼薄膜表面的化学成分和结构特性，其主要成分为B4C.AFM结果表明，薄膜表面光滑平整、均匀致密，随着衬底温度的升高薄膜均方根(RMS)粗糙度逐渐增大。

关键词： 碳化硼薄膜 结构分析 表面形貌 制备工艺

作者: 扬水长 廖志君 刘振良 范强 伍登学 卢铁城

作者单位: 四川大学技术教育部重点实验室，四川成都 610064 四川大学技术教育部重点实验室，四川成都 610064 中科院国际材料物理中心，辽宁沈阳 110015

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国高技术陶瓷学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 564-567

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）