低温退火对InAsSb材料结构特性的影响

摘要：

　　用分子束外延(MBE)方法生长了InAsSb/InSb多量子阱结构，并对其进行250℃、8 h的退火。采用X射线光电子能谱(XPS)，通过Ar离子刻蚀对样品退火前后进行了深度分析，研究退火对In、As、Sb 3种元素价态和纵向元素浓度分布的影响。结果表明，长时间低温退火增强了表面氧化，促使As和Sb元素发生次层原子向表层的扩散和样品内部该两种元素的扩散。

关键词： 金属复合材料 结构分析 退火处理 微观结构

作者: 刘晓明 李洪涛 李美成 赵连城

作者单位: 哈尔滨工业大学，黑龙江哈尔滨 150001

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国高技术陶瓷学术年会

会议地点: 沈阳

会议语种:中文

页码: 606-608

在线出版日期: 2008-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）