不同掺杂元素对GaN基材料发光性能的影响

摘要：

　　GaN材料本身具有极大的优越性，如大禁带宽度、高临界场强、高热导率、高载流子饱和速率、异质结界面二维电子气浓度高，决定了GaN基材料及其器件在发光半导体材料领域中的重要地位。而高质量GaN的掺杂制备一直成为研究者关注的热点。本文根据近几年国内外对掺杂GaN基材料的研究成果，主要总结概括了ⅡA族、过渡族以及稀土族元素对GaN的掺杂，分析讨论了不同掺杂元素对GaN基材料发光性能的影响，并以Mg掺杂GaN为例对比了各种掺杂技术的优缺点。

关键词： 氮化镓基材料 发光半导体材料 制备工艺 掺杂元素 光致发光性能

作者: 邵桂雪 刘晶 梁建 赵君芙 马淑芳 许并社

作者单位: 新材料界面科学与工程教育部重点实验室, 山西太原 030024 太原理工大学材料科学与工程学院，山西太原 030024

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国材料研讨会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 1-7

在线出版日期: 2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）