采用Al缓冲层在蓝宝石衬底上合成GaN多晶薄膜
本研究采用CVD法以金属镓(Ga)和氨气(NH3)为原料,在镀有Al膜的蓝宝石衬底上成功制备了GaN多晶薄膜。采用x射线衍射仪(XRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了成分、形貌和发光性能分析。结果表明,制备的GaN薄膜为结晶性较好的六方纤锌矿GaN多晶薄膜,用266nm的激光作为激发光源时,光致发光谱中除出现354nm的近带边发射峰外,同时还观察到中心波长位于约637nm的黄光发光峰。
半导体材料 氮化镓多晶薄膜 薄膜制备技术 铝膜缓冲层 电子束蒸镀法 发光性能
赵丹 梁建 马淑芳 赵君芙 许并社
新材料界面科学与工程教育部重点实验室,山西 太原 030024 太原理工大学材料科学与工程学院 山西 太原 030024
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2010-06-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)