用于GaN外延薄膜生长的缓冲层
Ⅲ-Ⅴ族GaN基材料作为第三代半导体，在光电子学和微电子学领域中有重要的应用前景。GaN基外延薄膜主要应用在蓝光或者紫外发光器件、高温电子器件、探测器以及高速场效应晶体管等，但由于和衬底材料存在晶格失配和热失配等问题，生长优质的GaN基外延单晶薄膜一直是研究者所关注的焦点。目前GaN基外延薄膜大多以蓝宝石作为衬底，由于其硬度大，导热性能差，工艺复杂、价格昂贵等特点，使其不利于制作大功率器件；而Si晶体由于其质量高、价格低廉、易解理、导电性好及其成熟的Si集成技术等优点，可作为取代蓝宝石的衬底之一。但选用Si衬底就必须通过缓冲层来解决GaN薄膜与Si衬底的晶格失配等问题。本文概括介绍了几种类型的缓冲层，通过分析不同缓冲层的生长条件，对如何选用合适的缓冲层用作GaN外延薄膜的生长进行了初步探讨。
氮化镓基外延薄膜 半导体材料 衬底材料 薄膜缓冲层 晶格失配
安峰 王晓宁 梁建 赵君芙 马淑芳 许并社
新材料界面科学与工程教育部重点实验室, 山西太原 030024 太原理工大学材料科学与工程学院，山西太原 030024
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2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）