稀土Nd掺杂导致的铌酸钠钾基无铅压电陶瓷结构
本文用传统固相合成法合成了稀土Nd掺杂0.942(Na0.53K0.47) NbO3-0.058LiNbO3(KNNLN)基无铅压电陶瓷。XRD显示，稀土Nd掺杂能有效地固溶到KNN基体并形成单相固溶体。红外和拉曼光谱结果发现，NbO6八面体的键结构会随着掺杂量的增加而有规律地改变。结合X射线衍射和红外拉曼光谱结果可以发现，随着Nd掺杂量的增加，KNN晶体结构从四方和斜方相共存区向四方和立方共存区发生连续的变化。稀土Nd掺杂量在1％～2%区间附近导致了四方相和立方相共存区的出现。介电性能测试结果显示，稀土Nd掺杂能够较明显地提高样品的室温介电常数并在一定程度上降低KNN基陶瓷的室温介电损耗。2%Nd掺杂KNNLN压电陶瓷样品的压电系数d33和介电常数εr值分别为128pC/N和～694。相比之下，末掺杂KNNLN压电陶瓷的d33和εr值分别只有87pC/N和～545。
铌酸钠钾基材料 无铅压电陶瓷 陶瓷结构 稀土钕掺杂量 室温介电性能
刘绍军 王鹏飞 万冰冰 马清
哈尔滨工业大学深圳研究生院材料科学与工程学科部，深圳 510085
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2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）