电化学法快速制备CdSe薄膜

摘要：

　　本研究采用电化学法在室温下快速沉积制备CdSe薄膜，通过考察沉积电压对薄膜形貌及结构的影响，选择出制备CdSe薄膜的最佳沉积电压。采用高分辨X射线衍射仪（HRXRD）、场发射扫描电镜（FESEM）、原子力显微镜（AFM）、紫外/可见/近红外（UV-VIS-NIR）分光光度计对所制备产物的晶体结构、形貌及光学性能进行分析表征。结果表明所制备的薄膜为立方相CdSe，呈纳米颗粒状，部分粒子表现出不均匀团聚。样品在522nm处有一吸收峰，较体相CdSe有较大的蓝移，且导致禁带宽度发生改变,表现出量子尺寸效应。由分析可知适当的沉积电压对CdSe薄膜的形貌和质量起关键作用，同时讨论了可能的反应机理。

关键词： 半导体材料 硒化镉薄膜 电化学法 沉积电压 禁带宽度

作者: 李婧 黄平 梁建 赵君芙 马淑芳 许并社

作者单位: 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室, 山西 太原 030024 太原理工大学理学院物理系，山西 太原 030024 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室, 山西 太原 030024 太原理工大学材料科学与工程学院，山西 太原 030024

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国材料研讨会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）