采用Al 缓冲层在蓝宝石衬底上合成GaN 多晶薄膜

摘要：

本研究采用CVD 法以金属镓（Ga）和氨气（NH3）为原料，在镀有Al 膜的蓝宝石衬底上成功制备了GaN 多晶薄膜。 采用x 射线衍射仪（XRD)、场发射电子扫描电镜(FESEM)、原子力显微镜(AFM)和光致发光能谱(PL)对样品进行了成分、形 貌和发光性能分析。结果表明，制备的GaN 薄膜为结晶性较好的六方纤锌矿GaN 多晶薄膜，用266nm 的激光作为激发光 源时，光致发光谱中除出现354 nm 的近带边发射峰外，同时还观察到中心波长位于约637 nm 的黄光发光峰。

关键词： 半导体 GaN 多晶薄膜 Al 缓冲层 CVD 法

作者: 赵丹 梁建 马淑芳 赵君芙 许并社

作者单位: 新材料界面科学与工程教育部重点实验室，山西 太原 030024 太原理工大学材料科学与工程学院 山西 太原 030024

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国材料研讨会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）