涂层导体中缓冲层阻隔扩散行为研究
我们采用低成本的化学溶液沉积（CSD）技术分别在NiW基带上沉积了三种不同结构相同厚度的氧化物薄膜，即La2Zr2O7 (LZO)，CeO2以及LZO和CeO2组成的混合双层缓冲层薄膜，然后再将已经在氩/氢气氛下完全晶化的缓冲层薄膜以及NiW基带分别于氩气和氩/氧气氛中退火。我们采用XRD和SEM技术对所制得样品的结构、织构和表面形貌进行了表征。结果表明它们的阻隔扩散能力都是有限的，由晶格氧扩散造成的基带的氧化不利于缓冲层织构的传递。同时也发现不同结构的缓冲层薄膜的阻隔扩散能力差别较大，导致最终样品表面基带各氧化物相含量的不同，从而造成了表面形貌的较大差异。我们认为在氧化性气氛中退火处理时，基带的氧化与退火的条件以及缓冲层的本征晶格氧扩散能力有关。通过选择具有较小氧扩散系数和较大氧空位缺陷容忍能力的氧化物材料做缓冲层，调整退火工艺以及它们的厚度和致密度等条件可以有效提高缓冲层的阻隔扩散能力。
涂层导体 缓冲层薄膜 阻隔扩散行为 化学溶液沉积 退火工艺
王耀 周廉 卢亚锋 李成山 于泽铭 李金山
西北工业大学材料学院，陕西 西安 710072 西北有色金属研究院超导所，陕西 西安 710016 西北有色金属研究院超导所，陕西 西安 710016 西北工业大学材料学院，陕西 西安 710072
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2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）