程-波恩理论的超导电流密度估算

摘要：

　　根据Cheng-Born能带对称破缺理论和TFDC(Thomas-Fermi-Dirac-Cheng)电子理论，估算了电子型超导体静态的超导电流密度和测量值表达式，并以金属铝做了算例，估算测量结果接近实验测试量级；简要讨论了超导电现象的程氏理论解释，进一步对比讨论了程氏理论与BCS理论和半导体模型的微观异同；根据程氏理论推测理想的程氏超导体的电流密度特性。

关键词： 程-波恩理论 超导电流密度 程氏超导体 半导体模型

作者: 郭志超 索红莉 刘志勇 刘敏 马麟 张腾

作者单位: 北京工业大学材料学院，国家教育部功能材料重点实验室，北京 100124

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国材料研讨会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 1-6

在线出版日期: 2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）