B掺杂Si80Ge20合金的快速制备及热电性能
采用电弧熔炼、快速球磨结合放电等离子烧结快速制备了Si80Ge20Bx（x=0.5、1、1.5、2）合金。对烧结后试样相组成和微结构进行了表征，并对试样的热电性能进行了测试。XRD 分析表明所有样品均为单相。FESEM和EDS结果显示试样结构致密、组分均匀，没有发生明显的分凝现象。B的引入导致样品载流子浓度增加，电导率随着B掺量增加而大幅增加，而Seebeck系数下降。B的固溶增加了试样中点缺陷浓度而导致声子散射增加，因此样品晶格热导率下降明显。当x=1时，样品在1000K获得最大ZT值0.78。
硅锗合金 硼元素掺量 制备工艺 热电性能
罗文辉 李涵 郝文 胡小龙 唐新峰
武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，武汉，430070
国内会议
长沙
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2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）