B掺杂Si80Ge20合金的快速制备及热电性能

摘要：

　　采用电弧熔炼、快速球磨结合放电等离子烧结快速制备了单相Si80Ge20Bx（x=0.5、1、1.5、2）热电材料，对烧结后试样进行了物相结构分析和热电性能表征。结果表明，B的引入导致样品载流子浓度增加，电导率随着B掺量增加而大幅增加，而Seebeck系数反之下降。B的固溶增加试样中点缺陷浓度而导致声子散射增加，热导率下降明显。当x=1时，样品在1000K获得最大ZT值0.78。

关键词： 硅锗合金 硼元素掺量 合金制备 热电性能

作者: 罗文辉 李涵 郝文 胡小龙 唐新峰

作者单位: 武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，武汉，430070

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国材料研讨会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 1-17

在线出版日期: 2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）