会议专题

B掺杂Si80Ge20合金的快速制备及热电性能

  采用电弧熔炼、快速球磨结合放电等离子烧结快速制备了单相Si80Ge20Bx(x=0.5、1、1.5、2)热电材料,对烧结后试样进行了物相结构分析和热电性能表征。结果表明,B的引入导致样品载流子浓度增加,电导率随着B掺量增加而大幅增加,而Seebeck系数反之下降。B的固溶增加试样中点缺陷浓度而导致声子散射增加,热导率下降明显。当x=1时,样品在1000K获得最大ZT值0.78。

硅锗合金 硼元素掺量 合金制备 热电性能

罗文辉 李涵 郝文 胡小龙 唐新峰

武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉,430070

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2010中国材料研讨会

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2010-06-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)