离子束辅助沉积同质过渡层增强AlN薄膜择优取向研究

摘要：

　　采用离子束辅助沉积技术（IBAD）在金刚石等衬底上预沉积一层AlN 同质过渡层，然后利用脉冲反应磁控溅射在过渡层上沉积AlN薄膜。结果表明，该同质过渡层明显增强了AlN 薄膜的c 轴取向度。在XRD 图谱上，（002）峰衍射强度增高，（100）、（101）等衍射峰消失。AlN 薄膜生长模式由于同质过渡层的引入发生变化，由三维岛状生长趋向于二维外延生长，从而呈现c 轴择优取向。

关键词： 氮化铝薄膜 择优取向 同质过渡层 离子束辅助沉积

作者: 李智 周灵平 朱家俊 彭坤 李德意

作者单位: 湖南大学材料科学与工程学院，湖南长沙 410082，中国

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国材料研讨会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 1-9

在线出版日期: 2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）