催化剂预制条件对原位生长碳纳米管化学修饰电极性能的影响

摘要：

　　先通过直流电化学沉积法将生长碳纳米管(CNT)所需的催化剂镍预埋在石墨电极(GE)表面，再利用化学气相沉积法(CVD)制备得到原位生长碳纳米管化学修饰电极(GSCNT-CME)。通过详细考察电沉积催化剂时的电压、沉积时间对制备的GSCNT-CME电化学性能的影响，得到了利用此方法制备GSCNT-CME的最佳催化剂预埋条件。 制备出CNT管径分布范围集中、且具有良好的电化学性能的GSCNT-CME，这对于研究催化剂预制条件对GSCNT-CME性能的影响具有很大的参考价值。

关键词： 碳纳米管 原位生长 催化剂预制条件 化学修饰电极 电化学沉积

作者: 何正文 江奇 杨荣 陈杰 张冯章 易超绝 赵勇

作者单位: 西南交通大学超导研究开发中心, 材料先进技术教育部重点实验室, 成都 610031 西南交通大学超导研究开发中心, 材料先进技术教育部重点实验室, 成都 610031 School of Materials Science and Engineering, University of

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国材料研讨会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 1-4

在线出版日期: 2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）