沉积条件对CVDSiC涂层形貌和组成成分的影响
采用MTS-H2-Ar体系通过等温化学气相沉积(CVD)在石墨基底表面沉积了SiC涂层。研究了沉积温度、气体总压和气体流量对涂层形貌和组成成分的影响。SEM和AFM观察表明,SiC一次颗粒尺寸在100nm以内。在本实验的沉积条件变化范围内，Ar流量增大使涂层表面变粗糙，温度升高使涂层变厚。X射线衍射和拉曼光谱分析显示沉积物主要为3C型的β-SiC。气体总压和H2流量都增大时易生成游离Si。气体总压较小而H2流量较大时易生成游离C。当气体总压为5kpa，H2流量为500 ml·min-1时可得到化学计量比的SiC。
石墨基底 等温化学气相沉积法 碳化硅涂层 组成成分 沉积条件
周乐平 张明瑜 黄启忠
中南大学粉末冶金国家重点实验室，长沙 410083
国内会议
长沙
中文
1-7
2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）