会议专题

再结晶碳化硅(R-SiC)材料在1300℃下抗氧化性能的研究

  通过氧化过程中的质量变化研究了R-SiC材料在1300℃下的氧化行为。结果表明:最初材料的氧化使碳化硅表面形成致密的无定形SiO2薄层,有效地阻挡了氧的向内扩散,此时SiC具有很好的抗氧化性能,其氧化反应速率遵循抛物线规律:X2=Bt+b,为扩散控制反应,氧穿过氧化层的快慢直接影响氧化反应的速度。随着反应的不断进行,氧化反应继续增厚,这时由于材料表面的氧化层与基体热膨胀系数不匹配,温度变化时产生的热应力导致氧化层开裂,另外,R-SiC表面的无定形二氧化硅在热循环过程中析晶出方石英,析晶的体积效应和晶界的加入也引起开裂,从而为氧扩散提供了通道,大大加速了R-SiC的氧化速率。

再结晶碳化硅材料 抗氧化性能 氧扩散 氧化层开裂

谢文 肖汉宁 高朋召 郭文明

湖南大学材料科学与工程学院,湖南长沙 410082

国内会议

2010中国材料研讨会

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2010-06-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)