不掺杂TiO2陶瓷的缺陷化学与气孔形成机理研究
通过缺陷化学和材料检测手段探讨了不掺杂TiO2陶瓷气孔形成的机理。采用传统电子陶瓷工艺制备了不掺杂TiO2陶瓷,采用SEM、EDS和XPS测试了不同烧结温度不掺杂TiO2陶瓷样品的显微结构、化学组成和离子价态;通过缺陷化学和材料结构检测分析讨论了不掺杂TiO2陶瓷气孔形成的原因。研究结果表明:不掺杂TiO2陶瓷中存在三价钛离子和晶界吸附氧,三价钛离子浓度和晶界吸附氧含量随烧结温度增加而增加;在晶粒和晶界中有较多气孔;气孔主要起源于高温烧结过程中氧空位的偏析和晶格氧的挥发。
不掺杂二氧化钛陶瓷 缺陷化学 气孔形成机理 烧结温度 显微结构
严继康 甘国友 袁君 杜景红 易健宏
昆明理工大学材料学院,云南省昆明市 650093 稀有及有色金属教育部重点实验室,云南省昆明市 650093 云南省新材料制备与加工重点实验室,云南省昆明市 650093
国内会议
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2010-06-19(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)