高纯度钛硅碳的制备及其反应机理研究
三元层状陶瓷Ti3SiC2由于兼具金属和陶瓷的诸多优点而受到世人的广泛关注。目前，Ti3SiC2材料的合成大都是采用元素粉体直接固相反应法，同时为提高合成的纯度，常添加少量Al作为反应助剂。但由于Al易于氧化，这种含Al的Ti3SiC2在制成块体或复合材料时，极易形成Al2O3杂质，对材料的性能产生不利影响。本文在不添加任何添加剂的情况下，探索采用不同的合成途径制备高纯度Ti3SiC2粉体，研究了合成工艺条件对粉体纯度的影响,并对其反应过程和反应机理进行了探讨。研究结果表明，以TiH2、Si和TiC粉为原料，采用真空固相反应合成，可得到高纯度Ti3SiC2粉体，且该方法具有合成温度范围广、成本低、效率高等优点。
高纯度钛硅碳 合成途径 固相反应 三氧化二铝杂质 粉体纯度
路金蓉 周洋 孙建军 李世波 黄振莺 翟洪祥
北京交通大学机电学院，北京 100044
国内会议
长沙
中文
1-7
2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）