MoSi2添加对再结晶碳化硅(R-SiC)微观结构和体积电阻率的影响
在一定配比的SiC复合粉体中添加不同量的MoSi2，进而在2300℃烧结得到MoSi2/R-SiC复合材料。采用SEM、XRD、力学性能测试、阻抗分析仪等方法研究了MoSi2添加量对复合材料微观结构、组成和力学性能和电阻率的影响。结果表明：在2300℃所得的复合材料中，SiC为6-H型，MoSi2 转化为六方晶型的Mo4.8Si3C0.6，其主要原因是高温下液相MoSi2逐渐失去Si，同时与SiC发生反应转变为低硅含量的硅钼炭化合物所致。硅钼炭化合物主要以涂层的形式包覆在SiC颗粒的表面，随添加量的增加，涂层逐渐增厚，当添加量超过10％，部分Mo4.8Si3C0.6填充在SiC空隙中；随MoSi2添加量的增加，复合材料的密度和表观气孔率逐渐增加，力学性能变化不大，但体积电阻率显著降低。同时对所得材料的导电机理进行了初步的探讨。
二硅化钼 再结晶碳化硅 微观结构 体积电阻率
汪文祥 公伟伟 高朋召 肖汉宁
湖南大学材料科学与工程学院，湖南长沙 410082
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2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）