ZrB2-SiC晶片复合陶瓷的SPS烧结行为及微观结构

摘要：

　　论文利用等离子体放电烧结法（SPS）制备了ZrB2-15vol％SiC晶片（SiCpl）复合陶瓷。烧结温度1600℃，保温时间5分钟，加热速率100/min℃。研究了SiCpl/ZrB2复合陶瓷的烧结致密化行为以及微观结构与力学性能。结果表明SPS可以有效降低ZrB2的烧结温度，试样晶粒尺寸变小且均匀，说明SPS快速烧结有效抑制了ZrB2晶粒的异常长大。文章还研究了晶片的定向性对复合材料性能的影响。结果表明SiC晶片的定向排布提高了材料的可烧结性与力学性能。

关键词： 复合陶瓷 等离子体放电烧结法 烧结致密化行为 显微结构 晶片定向性

作者: 王明福 汪长安 张幸红

作者单位: 哈尔滨工业大学，复合材料与结构研究所，哈尔滨，150090 清华大学材料科学与工程系，新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京 100084 清华大学材料科学与工程系，新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京 100084 哈尔滨工业大学，复合材料与结构研究所，哈尔滨，150090

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国材料研讨会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 1-5

在线出版日期: 2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）