CaCu3Ti4O12陶瓷巨介电响应机理探讨
目前，CaCu3Ti4O12(CCTO)陶瓷的巨介电性起源基本上认为是内部阻挡层电容器（IBLC）机制，但对于晶粒和晶粒边界的导电性仍存在较大的争议。本文采用MnO2少量置换CCTO中CuO或者TiO2，固相反应法烧结制备名义成分CaCu3-xMnxTi4O12(x=0-0.3)和CaCu3Ti4-yMnyO12(y=0-0.1) 陶瓷。少量MnO2的加入，所有陶瓷均为类钙钛矿结构的CCTO单相；但是CCTO陶瓷的显微结构从异常长大的晶粒转变成均匀的细小的晶粒。同时，CCTO陶瓷的体积电阻率显著提高；介电常数从104 显著下降到102，介电损耗从10-1急剧降低到10-3。通过微结构和电性能的演变来再次讨论CCTO 陶瓷IBLC形成机理，说明CCTO陶瓷中IBLC是由半导体化的晶界/亚晶界和相对绝缘的晶粒/亚晶粒组成。并较低温度下烧结获得高介、低损耗和温度稳定的CCTO基陶瓷。寻找到一种降低CCTO陶瓷的介电损耗的有效方法。
复合陶瓷 巨介电常数 类钙钛矿结构 低介电损耗
郑兴华 张程 刘馨 汤德平 肖娟
福州大学材料科学与工程学院，福州，350108
国内会议
长沙
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1-7
2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）