高密度ITO靶材的成形工艺及理论分析

摘要：

　　对高端薄膜所用高密度ITO靶材的主要成形、烧结工艺如：等静压成形、粉浆浇注成形、热压成形、爆炸压实成形进行了阐述。分析了其各自的成形原理、优缺点及发展现状。并指出了现阶段ITO靶材所面临的技术难题：结瘤现象严重、最佳掺杂量和第二相问题。明确了ITO靶材未来发展趋势。

关键词： 透明导电氧化物 ITO靶材 成形工艺

作者: 马晓波 钟景明 孙本双 陈焕铭 王东新

作者单位: 宁夏大学物理与电气工程学院，宁夏 银川 750021 西北稀有金属材料研究院，国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心，宁夏 石嘴山 753000 西北稀有金属材料研究院，国家钽铌特种金属材料工程技术研究中心，宁夏 石嘴山 753000 宁夏大学物理与电气工程学院，宁夏 银川 750021

会议类型: 国内会议

会议名称: 2010中国材料研讨会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 1-11

在线出版日期: 2010-06-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）